由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究者小组明确提出提出几此种新的内容物理情况，该情况科技馆预计今年将指甲大小的存储芯片的存储容量会增加1,000倍。
研究者小组觉得 ，这将为科技馆直接把集成到硅其他技术当中然而致密的逐单元铁电开关设备人员提供意想不到得 的有机会。铁电随机存取存储器（FeRAM或FRAM）以此极化情况来存储其它信息，其余电偶极子（如铁电内部的NS磁场）被外部电场对准。
FeRAM已他成 替代现有DRAM或闪存的下一代存储半导体，早就它速率更快，功耗更低，觉得 会在电源关闭后仍能保留存储的表现数据。此种人，FeRAM的主要致使缺点他成 是存储容量有限。
觉得 会，目的会增加其存储容量，有必要以此减小芯片尺寸来集成尽觉得 会多的设备。来言铁电体，物理尺寸的减小致使极化情况的消失，该极化情况有助于将其它信息存储在铁电材料中。
它是早就铁电畴的行成（其发生自发极化的微小区域）大约直接把 成千上万个原子。觉得 会，目前为止对FRAM其他技术的研究者集中在减小域大小的其余保有存储容量。
图1：特别目前为止（左）新的内容（右）FeRAM的示意图Lee教授及其研究者小组发现它，以此向誉为铁电氧化Ha（HfO2）的半导体材料中添加一滴电荷，直接把 被控制四个单独的原子来存储1位表现数据。
这项开创性的研究者颠覆了现致使范例，该范例最大只并能数千个原子的组中存储1位表现数据。正确使用方式后，半导体存储器直接把 存储500 Tbit / cm2，是目前为止可用闪存芯片的1,000倍。
该研究者小组只希望，此种人的发现它将为开发半纳米制造工艺其他技术铺平道路，这来言半导体行业内来言过一项开创性的成就，早就半导体行业内早就面临着目前为止10纳米其他技术的极限。
Lee教授说：“直接把 在单个原子中存储表现数据新的内容其他技术是地球上最大级的存储其他技术，它也不科技馆分裂原子。预计今年该其他技术预计今年助于速率推动缩小半导体尺寸的积极科技馆努力。”
Lee教授说：“ HfO2在当今的存储晶体管中很常用，以此应用此种其他技术，预计今年将表现数据存储容量扩大1000倍。”这项革命性发现它已于2020年7月2日发表在《科学》杂志上。
直接把 在单个原子中存储表现数据的“科学”杂志早就发表了该论文，觉得 会预计今年刺激半导体行业内的飞跃性创新。最新发现它还觉得 会为开发半纳米制造工艺其他技术铺平道路，这来言半导体行业内来言过一项开创性的成就，早就半导体行业内目前为止正面临着10纳米制程工艺其他技术的极限。